سیستم PECVD

چرا ما را انتخاب کنید؟

کیفیت محصول قابل اعتماد
شرکت Xinkyo در سال 2005 توسط محققان حرفه ای مواد تاسیس شد. بنیانگذار آن در دانشگاه پکن تحصیل کرده و تولید کننده پیشرو در تجهیزات آزمایشگاهی با دمای بالا و تجهیزات آزمایشگاهی تحقیقات مواد جدید است. این ما را قادر می سازد تا تجهیزات با کیفیت بالا و کم هزینه با دمای بالا را برای آزمایشگاه های تحقیق و توسعه مواد تهیه کنیم.

تجهیزات پیشرفته
تجهیزات اصلی تولید: ماشین‌های پانچ CNC، ماشین‌های خم CNC، ماشین‌های حکاکی CNC، ماشین‌های تراش CNC فر با دمای بالا، ماشین‌های دراز، فرز دروازه‌ای، مراکز ماشینکاری، ورق فلز، ماشین‌های برش لیزری، ماشین‌های پانچ CNC، ماشین‌های خمشی، ماشین‌های جوش خود خازنی ، دستگاه های جوش آرگون، جوش لیزری، دستگاه های سندبلاست، اتاق های پخت خودکار رنگ.

طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی
این محصولات عمدتاً در سرامیک، متالورژی پودر، چاپ سه بعدی، تحقیق و توسعه مواد جدید، مواد کریستالی، عملیات حرارتی فلز، شیشه، مواد الکترود منفی برای باتری‌های لیتیومی انرژی جدید، مواد مغناطیسی و غیره استفاده می‌شوند.

بازار گسترده
درآمد فروش صادرات سالانه کوره XinKyo بیش از 50 میلیون است که بازارهای آمریکای شمالی (مانند ایالات متحده، کانادا، مکزیک و غیره) 30٪ و بازارهای اروپایی (مانند فرانسه، اسپانیا، آلمان و غیره) سهم دارند. حدودا 20٪؛ 15% در آسیای جنوب شرقی (ژاپن، کره، تایلند، مالزی، سنگاپور، هند و غیره) و 10% در بازار روسیه؛ 10٪ در خاورمیانه (عربستان سعودی، امارات، و غیره)، 5٪ در بازار استرالیا، و 10٪ باقی مانده است.

سیستم PECVD چیست؟

سیستم‌های رسوب‌دهی بخار شیمیایی افزایش‌یافته پلاسما (PECVD) معمولاً در صنعت نیمه‌رسانا برای فرآیندهای رسوب لایه نازک استفاده می‌شوند. فناوری PECVD شامل رسوب مواد جامد بر روی یک بستر با وارد کردن گازهای پیش ساز فرار به محیط پلاسما است. سیستم های PECVD چندین مزیت از جمله پردازش در دمای پایین، یکنواختی فیلم عالی، نرخ رسوب بالا و سازگاری با طیف وسیعی از مواد را ارائه می دهند. این سیستم ها به طور گسترده در کاربردهای مختلفی مانند میکروالکترونیک، فتوولتائیک، اپتیک و MEMS (سیستم های میکرو الکترومکانیکی) استفاده می شوند.

سیستم PECVD سه منطقه گرمایش 1200C
SK{0}}CVD-12TPB4 یک کوره لوله برای سیستم PECVD است که از منبع تغذیه RF 300 وات یا 500 وات، سیستم جریان دقیق چند کاناله، سیستم خلاء و کوره لوله تشکیل شده است. دمای معمول مورد استفاده 1100 درجه...
بیشتر

مزایای سیستم PECVD

دمای رسوب پایین تر

سیستم PECVD را می توان در دماهای پایین تر از دمای اتاق تا 350 درجه در مقایسه با دمای استاندارد CVD از 600 درجه تا 800 درجه انجام داد. این محدوده دمایی پایین‌تر، کاربردهای موفقی را امکان‌پذیر می‌سازد که در آن دمای CVD بالاتر می‌تواند به طور بالقوه به دستگاه یا بستر تحت پوشش آسیب برساند.

انطباق خوب و پوشش گام

سیستم PECVD انطباق و پوشش گام خوبی را در سطوح ناهموار فراهم می کند. این بدان معنی است که لایه های نازک می توانند به طور یکنواخت و یکنواخت بر روی سطوح پیچیده و نامنظم قرار گیرند و از پوشش با کیفیت بالا حتی در هندسه های چالش برانگیز اطمینان حاصل کنند.

تنش کمتر بین لایه های لایه نازک

سیستم PECVD با عملکرد در دماهای پایین تر، تنش بین لایه های لایه نازک را که ممکن است دارای ضرایب انبساط یا انقباض حرارتی متفاوتی باشند، کاهش می دهد. این به حفظ عملکرد الکتریکی با راندمان بالا و اتصال بین لایه ها کمک می کند.

کنترل دقیق تر فرآیند لایه نازک

PECVD امکان کنترل دقیق پارامترهای واکنش مانند نرخ جریان گاز، توان پلاسما و فشار را فراهم می کند. این امکان تنظیم دقیق فرآیند رسوب گذاری را فراهم می کند و در نتیجه فیلم هایی با کیفیت بالا با خواص دلخواه ایجاد می شود.

نرخ رسوب بالا

سیستم PECVD می‌تواند به نرخ‌های رسوب‌گذاری بالا دست یابد، که امکان پوشش کارآمد و سریع زیرلایه‌ها را فراهم می‌کند. این به ویژه برای کاربردهای صنعتی که در آن به سرعت تولید سریع نیاز است مفید است.

انرژی پاک تر برای فعال سازی

فرآیندهای سیستم PECVD از پلاسما برای ایجاد انرژی مورد نیاز برای رسوب لایه سطحی استفاده می کنند و نیاز به انرژی حرارتی را از بین می برند. این نه تنها مصرف انرژی را کاهش می دهد، بلکه باعث مصرف انرژی پاک تر نیز می شود.

کاربرد سیستم PECVD

سیستم PECVD با CVD معمولی (رسوب بخار شیمیایی) متفاوت است زیرا از پلاسما برای رسوب لایه ها بر روی سطح در دماهای پایین تر استفاده می کند. فرآیندهای CVD برای انعکاس مواد شیمیایی روی یا اطراف بستر به سطوح داغ متکی هستند، در حالی که PECVD از پلاسما برای پخش لایه ها بر روی سطح استفاده می کند.
استفاده از پوشش های PECVD مزایای متعددی دارد. یکی از مزیت های اصلی این است که می توان لایه ها را در دماهای پایین تر رسوب کرد که باعث کاهش تنش بر روی ماده تحت پوشش می شود. این امکان کنترل بهتر بر فرآیند لایه نازک و نرخ رسوب را فراهم می کند. پوشش های PECVD همچنین یکنواختی فیلم عالی، پردازش در دمای پایین و توان عملیاتی بالا را ارائه می دهند.
سیستم های PECVD به طور گسترده در صنعت نیمه هادی برای کاربردهای مختلف استفاده می شود. آنها در رسوب لایه های نازک برای دستگاه های میکروالکترونیک، سلول های فتوولتائیک و پانل های نمایش استفاده می شوند. پوشش‌های PECVD به ویژه در صنعت میکروالکترونیک، که شامل زمینه‌هایی مانند خودروسازی، تولید نظامی و صنعتی می‌شود، اهمیت دارد. این صنایع از ترکیبات دی الکتریک مانند دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون برای ایجاد یک سد محافظ در برابر خوردگی و رطوبت استفاده می کنند.
تجهیزات PECVD مشابه آنچه برای فرآیندهای PVD (رسوب بخار فیزیکی) استفاده می شود، دارای محفظه، پمپ (ها) خلاء و سیستم توزیع گاز است. سیستم های ترکیبی که می توانند هر دو فرآیند PVD و PECVD را انجام دهند، بهترین های هر دو جهان را ارائه می دهند. پوشش‌های PECVD بر خلاف PVD که یک فرآیند دید خطی است، تمایل به پوشش تمام سطوح در محفظه دارند. استفاده و نگهداری از تجهیزات PECVD بسته به میزان استفاده از هر فرآیند متفاوت است.

سیستم های PECVD چگونه پوشش ایجاد می کنند؟

PECVD نوعی از رسوب شیمیایی بخار (CVD) است که از پلاسما به جای گرما برای فعال کردن گاز یا بخار منبع استفاده می کند. از آنجایی که می توان از دماهای بالا اجتناب کرد، دامنه بسترهای احتمالی به مواد با نقطه ذوب پایین گسترش می یابد - حتی در برخی موارد پلاستیک. علاوه بر این، طیف مواد پوششی که می توانند رسوب کنند نیز رشد می کند.
پلاسما در فرآیندهای رسوب بخار معمولاً با اعمال ولتاژ به الکترودهای تعبیه شده در گاز در فشارهای پایین تولید می شود. سیستم‌های PECVD می‌توانند پلاسما را با روش‌های مختلف تولید کنند، به عنوان مثال، فرکانس رادیویی (RF) تا فرکانس‌های میانی (MF) تا توان DC پالسی یا مستقیم. هر محدوده فرکانسی که استفاده شود، هدف یکسان می ماند: انرژی تامین شده توسط منبع انرژی گاز یا بخار را فعال می کند و الکترون ها، یون ها و رادیکال های خنثی را تشکیل می دهد.
سپس این گونه های پرانرژی برای واکنش و متراکم شدن روی سطح بستر آماده می شوند. به عنوان مثال، DLC (کربن الماس مانند)، یک پوشش عملکردی محبوب، زمانی ایجاد می شود که یک گاز هیدروکربنی مانند متان در پلاسما تفکیک شود و کربن و هیدروژن دوباره در سطح زیرلایه ترکیب شوند و پایان را تشکیل دهند. جدا از هسته اولیه پوشش، سرعت رشد آن نسبتاً ثابت است، بنابراین ضخامت آن متناسب با زمان رسوب گذاری است.

اصل کار سیستم PECVD چیست؟

نسل پلاسما

سیستم های PECVD از منبع تغذیه RF با فرکانس بالا برای تولید پلاسمای کم فشار استفاده می کنند. این منبع تغذیه یک تخلیه درخشان در گاز فرآیند ایجاد می کند که مولکول های گاز را یونیزه کرده و پلاسما ایجاد می کند. پلاسما از گونه های گاز یونیزه شده (یون ها)، الکترون ها و برخی گونه های خنثی در هر دو حالت زمینی و برانگیخته تشکیل شده است.

رسوب فیلم

فیلم جامد روی سطح زیرلایه رسوب می کند. بستر را می توان از مواد مختلفی از جمله سیلیکون (Si)، دی اکسید سیلیکون (SiO2)، اکسید آلومینیوم (Al2O3)، نیکل (Ni) و فولاد ضد زنگ ساخته شود. ضخامت فیلم را می توان با تنظیم پارامترهای رسوب گذاری مانند سرعت جریان گاز پیش ساز، توان پلاسما و زمان رسوب کنترل کرد.

فعال سازی گاز پیشرو

گازهای پیش ساز که حاوی عناصر مورد نظر برای رسوب فیلم هستند، به محفظه PECVD وارد می شوند. پلاسما در محفظه این گازهای پیش ساز را با ایجاد برخوردهای غیرالاستیک بین الکترون ها و مولکول های گاز فعال می کند. این برخوردها منجر به تشکیل گونه‌های واکنش‌پذیر مانند خنثی‌های برانگیخته و رادیکال‌های آزاد و همچنین یون‌ها و الکترون‌ها می‌شود.

واکنش های شیمیایی

گازهای پیش ساز فعال شده تحت یک سری واکنش های شیمیایی در پلاسما قرار می گیرند. این واکنش ها شامل گونه های واکنشی تشکیل شده در مرحله قبل است. گونه های واکنش پذیر با یکدیگر و با سطح بستر واکنش می دهند تا یک فیلم جامد تشکیل دهند. رسوب فیلم به دلیل ترکیبی از واکنش های شیمیایی و فرآیندهای فیزیکی مانند جذب و دفع رخ می دهد.

آیا سیستم PECVD در خلاء یا فشار اتمسفر بالا کار می کند؟

سیستم‌های PECVD (پلاسما-Enhanced Chemical Vapor Deposition) معمولاً در فشارهای پایین، معمولاً در محدوده 0.1-10 Torr، و در دماهای نسبتاً پایین، معمولاً در محدوده 200-500 عمل می‌کنند. درجه . این بدان معنی است که PECVD در خلاء بالا کار می کند، زیرا برای حفظ این فشارهای پایین به یک سیستم خلاء گران قیمت نیاز دارد.
فشار کم در PECVD به کاهش پراکندگی و ارتقای یکنواختی در فرآیند رسوب کمک می کند. همچنین آسیب به بستر را به حداقل می رساند و امکان رسوب طیف وسیعی از مواد را فراهم می کند.
سیستم های PECVD از یک محفظه خلاء، یک سیستم انتقال گاز، یک ژنراتور پلاسما و یک نگهدارنده بستر تشکیل شده است. سیستم انتقال گاز، گازهای پیش ساز را وارد محفظه خلاء می کند، جایی که آنها توسط پلاسما فعال می شوند تا یک لایه نازک روی بستر تشکیل دهند.
ژنراتور پلاسما در سیستم های PECVD معمولا از منبع تغذیه RF فرکانس بالا برای ایجاد تخلیه درخشان در گاز فرآیند استفاده می کند. پلاسما سپس گازهای پیش ساز را فعال می کند و واکنش های شیمیایی را تحریک می کند که منجر به تشکیل یک لایه نازک بر روی بستر می شود.
PECVD در خلاء زیاد، معمولاً در محدوده 0.1-10 Torr، برای اطمینان از یکنواختی و به حداقل رساندن آسیب به بستر در طول فرآیند رسوب، کار می‌کند.

دمایی که سیستم PECVD در آن انجام می شود چقدر است؟

دمایی که در آن PECVD (رسوبدهی بخار شیمیایی افزایش یافته پلاسما) انجام می شود از دمای اتاق تا 350 درجه متغیر است. این محدوده دمایی پایین تر در مقایسه با فرآیندهای استاندارد CVD (رسوب بخار شیمیایی) که معمولاً در دماهای بین 600 درجه تا 800 درجه انجام می شود، سودمند است.
دمای رسوب پایین تر PECVD امکان کاربردهای موفقیت آمیز را در شرایطی فراهم می کند که دمای CVD بالاتر به طور بالقوه می تواند به دستگاه یا بستر تحت پوشش آسیب برساند. با کارکرد در دمای پایین‌تر، تنش کمتری بین لایه‌های لایه نازک که دارای ضرایب انبساط/انقباض حرارتی متفاوتی هستند، ایجاد می‌کند و در نتیجه عملکرد الکتریکی با راندمان بالا و اتصال به استانداردهای بالا را به همراه دارد.
PECVD در نانوساخت برای رسوب لایه های نازک استفاده می شود. دمای رسوب آن بین 200 تا 400 درجه است. زمانی که پردازش دمای پایین‌تر به دلیل نگرانی‌های مربوط به چرخه حرارتی یا محدودیت‌های مواد ضروری است، نسبت به سایر فرآیندها مانند LPCVD (رسوب بخار شیمیایی با فشار کم) یا اکسیداسیون حرارتی سیلیکون انتخاب می‌شود. فیلم‌های PECVD به ویژه برای لایه‌های نازک‌تر، نرخ اچ، محتوای هیدروژن و سوراخ‌های بیشتری دارند. با این حال، PECVD می تواند نرخ رسوب بالاتری را در مقایسه با LPCVD ارائه دهد.
از مزایای PECVD نسبت به CVD معمولی می توان به دمای کمتر رسوب، انطباق و پوشش گام خوب روی سطوح ناهموار، کنترل دقیق تر فرآیند لایه نازک و نرخ رسوب بالا اشاره کرد. سیستم PECVD از پلاسما برای تامین انرژی برای واکنش رسوبی استفاده می کند که امکان پردازش دمای پایین تر را در مقایسه با روش های صرفاً حرارتی مانند LPCVD فراهم می کند.
محدوده دمایی PECVD به انعطاف‌پذیری بیشتری در فرآیند رسوب اجازه می‌دهد و کاربردهای موفقیت‌آمیز را در موقعیت‌های مختلف که دمای بالاتر ممکن است مناسب نباشد، ممکن می‌سازد.

چه موادی در PECVD سپرده می شود؟

PECVD مخفف Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition است. این یک تکنیک رسوب در دمای پایین است که در صنعت نیمه هادی برای رسوب لایه های نازک بر روی بسترها استفاده می شود. موادی که می توان با استفاده از PECVD رسوب کرد شامل اکسید سیلیکون، دی اکسید سیلیکون، نیترید سیلیکون، کاربید سیلیکون، کربن الماس مانند، پلی سیلیکون و سیلیکون آمورف است.
PECVD در یک راکتور CVD با افزودن پلاسما اتفاق می‌افتد که یک گاز نیمه یونیزه با محتوای الکترون آزاد بالا است. پلاسما با اعمال انرژی RF به گاز موجود در راکتور تولید می شود. انرژی حاصل از الکترون‌های آزاد در پلاسما، گازهای واکنش‌پذیر را جدا می‌کند و منجر به واکنش شیمیایی می‌شود که لایه‌ای را روی سطح بستر رسوب می‌کند.
PECVD را می توان در دماهای پایین، معمولاً بین 100 درجه تا 400 درجه انجام داد، زیرا انرژی حاصل از الکترون های آزاد در پلاسما، گازهای راکتیو را جدا می کند. این روش رسوب در دمای پایین برای دستگاه های حساس به دما مناسب است.
فیلم های رسوب شده توسط PECVD کاربردهای مختلفی در صنعت نیمه هادی دارند. آنها به عنوان لایه های ایزوله بین لایه های رسانا، برای غیرفعال سازی سطح و کپسوله کردن دستگاه استفاده می شوند. فیلم‌های PECVD همچنین می‌توانند به‌عنوان کپسول‌کننده، لایه‌های غیرفعال، ماسک‌های سخت و عایق در طیف وسیعی از دستگاه‌ها استفاده شوند. علاوه بر این، فیلم‌های PECVD در پوشش‌های نوری، تنظیم فیلتر RF و به عنوان لایه‌های قربانی در دستگاه‌های MEMS استفاده می‌شوند.
PECVD مزیت ارائه فیلم های استوکیومتری بسیار یکنواخت با تنش کم را ارائه می دهد. خواص فیلم مانند استوکیومتری، ضریب شکست و تنش را می توان در محدوده وسیعی بسته به کاربرد تنظیم کرد. با افزودن سایر گازهای واکنش دهنده، دامنه خواص فیلم را می توان افزایش داد و امکان رسوب فیلم هایی مانند دی اکسید سیلیکون فلورینه (SiOF) و سیلیکون اکسی کاربید (SiOC) را فراهم کرد.
PECVD یک فرآیند حیاتی در صنعت نیمه هادی برای رسوب گذاری لایه های نازک با کنترل دقیق ضخامت، ترکیب شیمیایی و خواص است. به طور گسترده ای برای رسوب دی اکسید سیلیکون و سایر مواد در دستگاه های حساس به دما استفاده می شود.

تفاوت بین PECVD و CVD چیست؟

PECVD (رسوبدهی بخار شیمیایی با پلاسما) و CVD (رسوب بخار شیمیایی) دو تکنیک متفاوتی هستند که برای رسوب لایه های نازک بر روی یک بستر استفاده می شوند. تفاوت اصلی بین PECVD و CVD در فرآیند رسوب گذاری و دماهای مورد استفاده نهفته است.
CVD فرآیندی است که بر سطوح داغ تکیه می کند تا مواد شیمیایی را روی یا اطراف بستر منعکس کند. در مقایسه با PECVD از دماهای بالاتری استفاده می کند. CVD شامل واکنش شیمیایی گازهای پیش ساز در سطح بستر است که منجر به رسوب یک لایه نازک می شود. رسوب گذاری پوشش های CVD در حالت گازی جاری رخ می دهد که یک نوع رسوب چند جهته پراکنده است. این شامل واکنش های شیمیایی بین گازهای پیش ساز و سطح بستر است.
از سوی دیگر، PECVD از پلاسمای سرد برای رسوب لایه ها بر روی سطح استفاده می کند. در مقایسه با CVD از دمای رسوب بسیار پایین استفاده می کند. PECVD شامل استفاده از پلاسما است که با اعمال میدان الکتریکی با فرکانس بالا به گاز، معمولاً مخلوطی از گازهای پیش ساز ایجاد می شود. پلاسما گازهای پیش ساز را فعال می کند و به آنها اجازه می دهد تا واکنش نشان دهند و به عنوان یک لایه نازک بر روی بستر رسوب کنند. رسوب پوشش‌های PECVD از طریق رسوب‌گذاری در محل رخ می‌دهد، زیرا گازهای پیش‌ساز فعال شده به سمت زیرلایه هدایت می‌شوند.
از مزایای استفاده از پوشش‌های PECVD می‌توان به دمای کمتر رسوب‌گذاری اشاره کرد که باعث کاهش تنش بر روی ماده پوشش‌دهی می‌شود. این دمای پایین تر امکان کنترل بهتر فرآیند لایه نازک و نرخ رسوب را فراهم می کند. پوشش های PECVD نیز کاربردهای گسترده ای دارند، از جمله لایه های ضد خش در اپتیک.
PECVD و CVD تکنیک های مختلفی برای رسوب گذاری لایه های نازک هستند. CVD به سطوح داغ و واکنش های شیمیایی متکی است، در حالی که PECVD از پلاسمای سرد و دماهای پایین تر برای رسوب استفاده می کند. انتخاب بین PECVD و CVD به کاربرد خاص و خواص مورد نظر پوشش بستگی دارد.

بهره برداری از سیستم های PECVD

رسوب بخار شیمیایی (CVD) فرآیندی است که در آن یک مخلوط گاز واکنش داده و یک محصول جامد را تشکیل می دهد که به عنوان یک پوشش روی سطح یک بستر رسوب می کند. انواع پوشش هایی که می توان با CVD به دست آورد متفاوت است: پوشش های عایق، نیمه رسانا، رسانا یا فوق رسانا. پوشش های آب دوست یا آبگریز، لایه های فروالکتریک یا فرومغناطیسی؛ پوشش های مقاوم در برابر حرارت، سایش، خوردگی یا خراشیدگی؛ لایه‌های حساس به نور و غیره. روش‌های مختلفی برای انجام CVD ایجاد شده است که با نحوه فعال شدن واکنش متفاوت است. به طور کلی، CVD در تمام اشکال آن به پوشش‌های سطحی بسیار همگن دست می‌یابد، مخصوصاً در قسمت‌های سه‌بعدی مفید است، حتی با سطوح بینابینی یا نامنظم که دسترسی به آن دشوار است. با این حال، رسوب بخار شیمیایی افزایش یافته با پلاسما (PECVD) مزیت بیشتری نسبت به CVD فعال شده حرارتی دارد زیرا می تواند در دماهای پایین تر عمل کند.
یک روش بسیار کارآمد برای اعمال پوشش های پلاسما شامل قرار دادن قطعات کار در محفظه خلاء یک سیستم PECVD است که در آن فشار بین {0}}.1 تا 0.5 میلی بار کاهش می یابد. جریانی از گاز به محفظه وارد می شود تا روی سطح رسوب کند و شوک الکتریکی برای تحریک اتم ها یا مولکول های مخلوط گاز اعمال می شود. نتیجه پلاسمایی است که اجزای آن بسیار واکنش پذیرتر از حالت گازی معمولی هستند، که اجازه می دهد واکنش ها در دماهای پایین تر (بین 100 تا 400 درجه) رخ دهند، سرعت رسوب را افزایش می دهد و حتی در برخی موارد کارایی واکنش های خاص را افزایش می دهد. این فرآیند در سیستم PECVD تا زمانی که پوشش به ضخامت مورد نظر برسد ادامه می یابد و محصولات جانبی واکنش برای بهبود خلوص پوشش استخراج می شوند.

گواهینامه های ما

کارخانه ما

شرکت Xinkyo در سال 2005 توسط محققان حرفه ای مواد تاسیس شد. بنیانگذار آن در دانشگاه پکن تحصیل کرده و تولید کننده پیشرو در تجهیزات آزمایشگاهی با دمای بالا و تجهیزات آزمایشگاهی تحقیقات مواد جدید است. این ما را قادر می سازد تا تجهیزات با کیفیت بالا و کم هزینه با دمای بالا را برای آزمایشگاه های تحقیق و توسعه مواد تهیه کنیم. محصولات ما شامل کوره های با دمای بالا، کوره های لوله، کوره های خلاء، کوره های چرخ دستی، کوره های بالابر و سایر مجموعه های کامل تجهیزات می باشد. به لطف طراحی عالی، قیمت های مقرون به صرفه و خدمات مشتری، شینکیو متعهد است که به رهبر جهانی در تحقیقات علم مواد برای تجهیزات با دمای بالا تبدیل شود.

راهنمای نهایی سوالات متداول برای سیستم PECVD

س: چه موادی در PECVD استفاده می شود؟

A: فیلم هایی که معمولاً توسط PECVD رسوب می کنند شامل اکسید سیلیکون، دی اکسید سیلیکون، نیترید سیلیکون، کاربید سیلیکون، کربن الماس مانند، پلی سیلیکون و سیلیکون آمورف است. این فیلم ها در صنعت نیمه هادی برای جداسازی لایه های رسانا، غیرفعال سازی سطحی و کپسوله کردن دستگاه استفاده می شوند.

س: تفاوت بین PECVD و CVD چیست؟

پاسخ: در حالی که دمای استاندارد CVD معمولاً در 600 درجه تا 800 درجه انجام می شود، دمای PECVD از دمای اتاق تا 350 درجه متغیر است، که کاربردهای موفقیت آمیز را در شرایطی که دمای CVD بالاتر می تواند به طور بالقوه به دستگاه یا بستر پوشش داده شده آسیب برساند، امکان پذیر می کند.

س: مشخصات PECVD چیست؟

A: PECVD دارای یک مرحله دمای متغیر است (RT تا 600 درجه). این سیستم از اندازه های ویفر تا 6 اینچ پشتیبانی می کند و رشد فیلم PECVD را در طیف گسترده ای از شرایط فرآیند فراهم می کند.

س: دمای PECVD چقدر است؟

A: دمای رسوب PECVD بین 200 تا 400 درجه است. به جای LPCVD یا اکسیداسیون حرارتی سیلیکون زمانی که پردازش دمای پایین‌تر به دلیل نگرانی‌های چرخه حرارتی یا محدودیت‌های مواد ضروری است، استفاده می‌شود.

س: تفاوت بین Lpcvd و PECVD چیست؟

A: LPCVD دمای بالاتری نسبت به PECVD دارد. از پلاسما برای تامین انرژی واکنش دهنده ها استفاده می کند. در حالی که PECVD از دمای بالا استفاده می کند، روشی نیمه تمیز برای تولید مواد مبتنی بر سیلیکون است. هنگامی که از LPCVD استفاده می شود، بستر سیلیکونی لازم نیست.

س: چرا PECVD معمولا از ورودی برق RF استفاده می کند؟

پاسخ: سیستم‌های PECVD به جای اتکا به انرژی حرارتی برای حفظ واکنش‌های شیمیایی، از تخلیه درخشندگی ناشی از RF برای انتقال انرژی به گازهای واکنش‌دهنده استفاده می‌کنند و به بستر اجازه می‌دهد در دمای پایین‌تری نسبت به APCVD و LPCVD باقی بماند.

س: PECVD کجا استفاده می شود؟

A: PECVD در اپتیک، میکروالکترونیک، کاربردهای انرژی، بسته‌بندی و شیمی برای رسوب پوشش‌های ضد انعکاس، پوشش‌های شفاف مقاوم در برابر خش، لایه‌های فعال الکترونیکی، لایه‌های غیرفعال، لایه‌های دی الکتریک، لایه‌های جداکننده، لایه‌های توقف اچ، کپسوله‌سازی و مواد شیمیایی استفاده می‌شود. محافظ ...

س: رسوب SiN با استفاده از PECVD چیست؟

پاسخ: رسوب دهی بخار شیمیایی افزایش یافته پلاسما (PECVD) یک تکنیک رسوب گذاری کلیدی است که در ساخت سلول های خورشیدی سیلیکونی استفاده می شود. راکتورهای PECVD برای رسوب لایه‌های لایه نازک نیترید سیلیکون (SiNx) و اخیراً اکسید آلومینیوم (AlOx) در ساخت سلول‌های خورشیدی PERC استفاده می‌شوند.

س: تفاوت بین HDP CVD و PECVD چیست؟

A: رسوب بخار شیمیایی پلاسما با چگالی بالا (HDPCVD) شکل خاصی از رسوب بخار شیمیایی افزایش یافته با پلاسما (PECVD) است که از یک منبع پلاسمای جفت شده القایی (ICP) استفاده می کند که چگالی پلاسما بالاتری نسبت به یک سیستم PECVD صفحه موازی استاندارد ارائه می دهد. .

س: پوشش DLC با استفاده از PECVD چیست؟

A: لایه DLC از طریق رسوب شیمیایی بخار با پلاسما پوشش داده شد و لایه کروم با رسوب فیزیکی بخار تشکیل شد. تشکیل لایه پوشش با میکروسکوپ الکترونی عبوری، طیف‌سنجی رامان و آنالیز میکروپروب الکترونی تایید شد.

س: فشار PECVD چقدر است؟

پاسخ: یک روش بسیار کارآمد برای اعمال پوشش های پلاسما شامل قرار دادن قطعات کار در محفظه خلاء یک سیستم PECVD است که در آن فشار بین {0}}.1 تا 0.5 میلی بار کاهش می یابد.

س: مزایای PECVD چیست؟

A: PECVD با تجزیه پیش سازهای هیدروکربنی در محیط پلاسما اجازه رشد لایه های گرافن را بر روی کاتالیزورهای فلزی می دهد. این تکنیک سنتز در مقیاس بزرگ لایه های گرافن را با ضخامت و کیفیت قابل تنظیم امکان پذیر می کند.

س: پوشش PECVD چقدر ضخیم است؟

پاسخ: زیرلایه ماده ای است که پوشش داده می شود. پوشش ها در سطح اتمی در یک راکتور CVD اعمال می شوند و آنها را بسیار نازک می کند (3 تا 5 میکرون). مواد پوشش تحت کاهش یا تجزیه دمای بالا قرار می گیرند و سپس بر روی بستر رسوب می کنند.

س: اکسید PECVD چیست؟

پاسخ: اکسید سیلیکون رسوب‌شده با بخار شیمیایی افزایش‌یافته (PECVD) به طور گسترده در زمینه‌های میکروالکترونیک و سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی (MEMS) استفاده می‌شود. فیلم‌های PECVD به دلیل دمای کم رسوب‌گذاری، برای فرآیندهایی که به بودجه حرارتی پایین نیاز دارند، بسیار راحت هستند.

س: فرآیند PECVD چگونه کار می کند؟

پاسخ: پلاسما در فرآیندهای رسوب بخار معمولاً با اعمال ولتاژ به الکترودهای تعبیه شده در گاز در فشارهای پایین تولید می شود. سیستم‌های PECVD می‌توانند پلاسما را با روش‌های مختلف تولید کنند، به عنوان مثال، فرکانس رادیویی (RF) تا فرکانس‌های میانی (MF) تا توان DC پالسی یا مستقیم.

س: فرکانس RF PECVD چیست؟

پاسخ: بسته به فرکانس تحریک پلاسما، فرآیند PECVD می تواند فرکانس رادیویی (RF)-PECVD (فرکانس استاندارد 13.56 مگاهرتز) یا فرکانس بسیار بالا (VHF)-PECVD (با فرکانس های تا 150 مگاهرتز) باشد. برای سلول های هتروجانکشن معمولاً a-Si:H با RF-PECVD رسوب می کند.

س: پوشش DLC با استفاده از PECVD چیست؟

س: فرکانس رادیویی PECVD چیست؟

A: رسوب دهی بخار شیمیایی با پلاسما (PECVD) با استفاده از فرکانس رادیویی (RF، 13.56 مگاهرتز) و فرکانس مایکروویو (2.45 گیگاهرتز) به طور گسترده ای برای رسوب گذاری این فیلم ها استفاده شده است.

به عنوان یکی از تولید کنندگان و تامین کنندگان پیشرو سیستم pecvd در چین، ما به گرمی از شما برای خرید سیستم pecvd درجه بالا برای فروش در اینجا از کارخانه ما استقبال می کنیم. همه محصولات ما با کیفیت بالا و قیمت رقابتی هستند.